特許

J-GLOBAL ID：200903079809624790

窒化炭素薄膜及びその形成方法

発明者： 岡田 拓也 ,  山田 鈴弥 ,  和田 徹也
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294806
公開番号（公開出願番号）：特開平8-158040
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【目的】 高周波スパッタリング又はDCスパッタリングを行うのみでN/C比が1をこえる高N/C比のCNx 薄膜を成膜速度を高めて形成すること。【構成】 高周波スパッタリング又はDCスパッタリングにより形成されたCN化学結合を有するCとNを含むものであり、そのN/C原子比が1.0をこえるものであることを特徴とする窒化炭素薄膜、グラファイト又はカーボンのターゲットにN2 ガスをその分圧100〜5000mTorrにして高周波スパッタリング又はDCスパッタリングすることを特徴とする窒化炭素薄膜の形成方法、及びこの窒化炭素薄膜の形成方法において、N2 分圧を250〜5000mTorrとすることを特徴とするN/C比が1をこえる高N/C比の窒化炭素薄膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

高周波スパッタリング又はDCスパッタリングにより形成されたCN化学結合を有するCとNを含むものであり、そのN/C原子比が1.0をこえるものであることを特徴とする窒化炭素薄膜。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/082 ,  C23C 14/34