特許

J-GLOBAL ID：200903079813961734

銅膜の形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140665
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340318
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 バリア層に窒化チタンのようなチタン系材料を用いた場合には未反応チタン等が銅膜中に拡散して銅膜の電気抵抗が上昇し、硬化するので高圧リフロー時にリフローし難くなり、埋め込み不良が発生する。【解決手段】 銅を主成分とする銅膜22を形成した後、この銅膜22の表面に圧力をかけて該銅膜22をリフロー処理する工程を備えた銅膜の形成方法において、銅膜22を形成した後でリフロー処理を行う前に、銅膜22の表面に酸化膜23を例えば自然酸化膜で形成する工程と、その酸化膜23中の酸素を銅膜22中に拡散する熱処理を行う工程とを備えた銅膜の形成方法である。

請求項（抜粋）：

銅を主成分とする銅膜を形成した後、前記銅膜の表面に圧力をかけて該銅膜をリフロー処理する工程を備えた銅膜の形成方法において、前記銅膜を形成した後で前記リフロー処理を行う前に、前記銅膜の表面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜中の酸素を前記銅膜中に拡散する熱処理を行う工程とを備えたことを特徴とする銅膜の形成方法。