特許
J-GLOBAL ID：200903079814513530
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132392
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】半導体素子間の容量,半導体素子と基板間の容量を小さくでき製品の歩留りを向上できる溝による素子分離法を用いた半導体装置を提供する。【構成】半導体基板1及びエピタキシャル層6に溝5を異方性エッチングにより、溝の上部が細く、下部が細くなるように形成する。溝内部は、第1の絶縁膜3を成長し、次に、第2の絶縁膜を成長し高温で熱処理した後、半導体基板1表面の第1の絶縁膜,第2の絶縁膜をエッチングで、除去することにより、絶縁膜で埋設されている。【効果】本発明の半導体装置は半導体素子の絶縁分離用の溝を上部で細く形成しているので素子の微細化ができる。また寄生容量を小さくでき、装置のスピードを向上でき、製品の性能歩留りを向上できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面から形成した溝により素子間分離を行う半導体装置において、前記素子間分離用の溝の形状が、半導体基板の表面近傍の上部で細く、基板表面から1μm以内の部分から下部が太くなっていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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