特許

J-GLOBAL ID：200903079819732117

半導体装置の製造方法

発明者： 服部 恵子 ,  服部 孝司 ,  白石 洋 ,  筒井 謙 ,  福本 佳子 ,  小野塚 利彦 ,  白井 精一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010668
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205057
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】多層フォトレジスト間のミキシングを抑制でき、かつ現像液の浸透による剥がれが起こらず、リフトオフに適した形状を得る。【解決手段】第1のフォトレジスト層と、第2のフォトレジスト層からなる複数層のフォトレジスト層で、第1のフォトレジスト層に対して不溶の溶剤を用い、第2のフォトレジストの溶剤に対し不溶である材質からなり、当該第1及び第2のフォトレジストと同じ型の感光性を有する層間分離膜を第1及び第2のフォトレジスト層間に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にポジ型またはネガ型フォトレジストからなる第1のフォトレジスト層と、前記第1のフォトレジスト層上に形成された当該第1のフォトレジストと同じ型のフォトレジストからなる第2のフォトレジスト層からなる複数層のフォトレジスト層を形成した後、実質的に同一の露光及び現像工程を用いてレジストパタンを形成する半導体装置の製造方法において、当該第1のフォトレジスト層に対して不溶の溶剤を用いて当該第2のフォトレジストの溶剤に対し不溶である材質からなり、当該第1及び第2のフォトレジストと同じ型の感光性を有する層間分離膜を当該第1及び第2のフォトレジスト層間に設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 511

FI (4件)：

H01L 21/30 573 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 569 E