特許

J-GLOBAL ID：200903079823114622

多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 清水 耕作
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103641
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298329
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン膜を使用し、キャリアの易動度と明暗比が大きく、かつ特性の均一性や信頼性に優れた薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。【構成】ソース電極2及びドレイン電極3が形成されたガラス基板1上に、非晶質シリコン層5aと非晶質ゲルマニウム層6aとゲート絶縁膜7を順次形成し、そののち、レーザ光10の照射によるアニールか600°C以上でのアニールによって、非晶質ゲルマニウム層6aと非晶質シリコン層5aとを再結晶化させ、多結晶ゲルマニウム層と多結晶シリコン層とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜トランジスタを形成する製造方法において、前記絶縁性基板上に、導電性薄膜を形成し該導電性薄膜をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成された前記絶縁性基板上に、非晶質シリコン層、非晶質ゲルマニウム層及び絶縁膜を順次積層する工程と、レーザ光照射によるアニールを実行して前記非晶質シリコン層及び前記非晶質ゲルマニウム層を多結晶化させるとともに、前記絶縁膜上にパターニングによってゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 29/78 627 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 627 G