特許

J-GLOBAL ID：200903079823788950

誘電体磁器組成物

発明者： 亀山 一郎 ,  加藤 純一 ,  加賀田 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239262
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 Agと同時焼成可能で、かつ焼成温度に対し安定したマイクロ波特性が得られ、マイクロ波領域で誘電率が高く、損失が小さく、優れた温度特性を持つ誘電体磁器の材料である組成物を得る。【構成】 主成分をBaO:0.155、TiO2:0.70、Nd2O3:0.145(モル分率)と10重量%のBi2O3とし、副成分をPbO:65、V2O5:10、B2O3:20、SiO2:5重量%とし、全体量に対し副成分を5〜30重量%、構成成分の平均粒子径0.8μmとした組成物に有機バインダ、溶剤、分散剤および可塑剤を混合して得たスラリーをシート化し、焼成する。生成した誘電体磁器は焼成温度に対して安定した特性を示すため、量産に適する。

請求項（抜粋）：

主成分として下記式(化1)で示される仮焼した組成物と、副成分として下記式(化2)で表されるPbO-V2O5-B2O3-SiO2系ガラスを5〜30重量%含み、前記主成分及び副成分が平均粒子径0.2〜0.8μmの微粉末である誘電体磁器組成物。【化1】【化2】

IPC (4件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 311 ,  H01G 4/12 358 ,  H01P 7/10

FI (4件)：

C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 311 ,  H01G 4/12 358 ,  H01P 7/10