特許

J-GLOBAL ID：200903079825259326

半導体装置の製造方法

発明者： 松元 道一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282858
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142476
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の多層配線形成プロセスにおいて、第1層金属配線に存在するAl原子がviaホールを介して、第2層金属配線に拡散するのを防止する。【構成】 絶縁膜上にAlを主成分とする第1の金属配線を形成する工程と、第1の金属配線上に上層の金属配線と絶縁を行うための層間絶縁膜B6を堆積する工程と、前記層間絶縁膜B6中にコンタクト孔(viaホール7)を開口する工程と、第2の金属膜堆積工程として500°C以下の熱処理によってAl原子を拡散させない200nm以下の導電性の膜8を前記層間絶縁膜B6上およびコンタクト孔7内に堆積した後、1000nm以下のAlを含有する金属を堆積する工程と、上記第2の金属膜をパターンニングし第2の金属配線を形成する工程と、500°C以下の熱処理を行う工程とを順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上にA1を主成分とする第1の金属配線を形成する工程と、第1金属配線上に層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクト孔を開口する工程と、第2の金属膜堆積工程として、500°C以下の熱処理によって、A1原子を拡散させない200nm以下の導電性膜を前記層間絶縁膜上およびコンタクト孔内に堆積した後、連続してA1を含有する1000nm以下の金属を堆積する工程と、上記第2の金属膜をパターンニングし第2の金属配線とする工程と、500°C以下の熱処理を行う工程とを順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A