特許

J-GLOBAL ID：200903079833637968

積層型セラミックチップコンデンサ

発明者： 佐藤 陽 ,  野村 武史 ,  中野 幸恵 ,  嵐 友宏 ,  山松 純子 ,  川野 直樹
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279867
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124784
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 容量の温度特性であるX7R特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗IRの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好な積層型セラミックチップコンデンサを提供する。【構成】 誘電体層が、主成分としてBaTiO3 を、副成分としてMgOと、Y2 O3 と、BaOおよびCaOの1種以上と、SiO2 とを含有し、BaTiO3 100モルに対する副成分の比率が、MgO:0.1〜3モル、Y2 O3 :5モル以下、BaO+CaO:2〜12モル、SiO2 :2〜12モルであり、誘電体層の平均結晶粒径が0.45μm 以下であり、誘電体層のX線回折チャートにおいて、(200)面の回折線と(002)面の回折線とが互いに少なくとも一部が重なって幅広の回折線が形成されており、この幅広の回折線の半値幅が0.15〜0.35°である積層型セラミックチップコンデンサ。

請求項（抜粋）：

誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも1種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをBaTiO3 に、酸化マグネシウムをMgOに、酸化イットリウムをY2 O3 に、酸化バリウムをBaOに、酸化カルシウムをCaOに、酸化ケイ素をSiO2 にそれぞれ換算したとき、BaTiO3 100モルに対する比率がMgO:0.1〜3モル、Y2 O3 :0モル超5モル以下、BaO+CaO:2〜12モル、SiO2 :2〜12モルであり、誘電体層の平均結晶粒径が0.45μm 以下であり、誘電体層のX線回折チャートにおいて、(200)面の回折線と(002)面の回折線とが互いに少なくとも一部が重なって幅広の回折線が形成されており、この幅広の回折線の半値幅が0.35°以下である積層型セラミックチップコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 349