特許
J-GLOBAL ID:200903079835380980

接触鍍金法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷 照一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-350380
公開番号(公開出願番号):特開2001-164376
出願日: 1999年12月09日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】【課題】接触鍍金法において、カソードとして機能する被鍍金物と、アノードとして機能する金属の接触面積を飛躍的に増大させて鍍金速度を早め、鍍金効率を向上させる。【解決手段】析出する第1の金属の化合物を含む溶液中に金属製の被鍍金物を浸漬して被鍍金物を前記溶液内で被鍍金物より卑なる第2の金属と接触させ、第2の金属をアノードとしかつ被鍍金物をカソードとして、被鍍金物上に第1の金属を析出させる方式の接触鍍金法であり、第2の金属として粉粒状の金属を採用して、同粉粒状の金属を溶液中で浮遊状態に分散させることにより被鍍金物に接触させて、被鍍金物との接触面積を増大させる。
請求項(抜粋):
析出する第1の金属の化合物を含む溶液中に金属製の被鍍金物を浸漬して同被鍍金物を前記溶液内で同被鍍金物より卑なる第2の金属と接触させ、同第2の金属をアノードとしかつ前記被鍍金物をカソードとして、同被鍍金物上に前記第1の金属を析出させる接触鍍金法であり、前記第2の金属として粉粒状の金属を採用して、同粉粒状の金属を前記溶液中で浮遊状態に分散させることにより前記被鍍金物に接触させることを特徴とする接触鍍金法。
Fターム (7件):
4K022AA02 ,  4K022BA21 ,  4K022DA02 ,  4K022DA04 ,  4K022DB01 ,  4K022DB04 ,  4K022DB14

前のページに戻る