化学気相成長を向上させるよう調整されたチャンバ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143478
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064067
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】フッ素含有ガスを用いて堆積ステップと堆積ステップの間にCVDチャンバを調整し、次にチャンバ内に残っているフッ素残渣を除去し、同時にチャンバ内に残っている微粒子物が基板上に落ちないことを確実にし得るプロセスが求められている。【解決手段】洗浄後かつ連続した堆積の間に、水素プラズマでチャンバからフッ素残渣を除去し、続いてチャンバ内に固体化合物を堆積させてチャンバ内に残っている微粒子物を封入することによって、化学気相成長チャンバを調整するマルチステッププロセスを用いる。

請求項（抜粋）：

a)ハロゲン含有ガスをチャンバへ導入し、前記ガスを前記チャンバの表面上の堆積物と反応させてハロゲン残渣を形成するステップと;b)水素を前記チャンバへ導入して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマを前記ハロゲン残渣と反応させて反応生成物を形成するステップと;c)前記水素プラズマとハロゲン残渣を反応させることにより形成した前記反応生成物を除去するステップと;d)堆積ガス混合体を前記チャンバへ導入し、前記堆積ガスを堆積させて前記反応生成物を封入するステップと、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J

Fターム (23件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC15 , 5F045EB03 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EE13 , 5F045EH13

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