特許

J-GLOBAL ID：200903079845831964

強誘電体メモリおよび光情報処理装置

発明者： 杉田 知也 ,  水内 公典 ,  山本 和久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-159838
公開番号（公開出願番号）：特開2001-344836
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体材料内の分極方向を非接触で検知する。【解決手段】 強誘電体結晶1と液晶2を密着配置し、レーザー光3を照射することにより強誘電体結晶1の表面に焦電電圧を励起し、この電圧により液晶2の配向方向を変化させ反射光5の強度を変化し、結果として強誘電体結晶1内の任意の領域の分極方向4を検知する。

請求項（抜粋）：

焦電効果を有する強誘電体材料と、外部電界により特性を変化することが可能な電界可変材料とを具備し、前記電界可変材料が前記強誘電体材料表面に形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (4件)：

G11B 9/02 ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 516 ,  G11B 7/24 522

FI (4件)：

G11B 9/02 ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 516 ,  G11B 7/24 522 E

Fターム (2件)：

5D029JA01 ,  5D029JA04