特許

J-GLOBAL ID：200903079845982555

リニア磁界センサ

発明者： 毛利 佳年雄 ,  豊田 一実 ,  三邊 昌紀
出願人/特許権者： 内橋エステック株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049665
公開番号（公開出願番号）：特開平10-054870
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤのインピ-ダンス若しくはインダクタンス効果を利用する磁界センサにおいて、構造の簡易性を保証しつつ、出力を線形にできる磁界センサを提供する。【解決手段】外部磁界検出エレメント3を電極2a,2b間に配設し、該エレメントに電流を流し、同エレメント軸方向の被検出外部磁界Hexをバイアス磁界Hbの重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメント3の両端間電圧V0の変化によって検出する磁界センサにおいて、上記電極2a,2bに永久磁石を用い、この磁石の静磁界を上記バイアス磁界Hbとして作用させる。

請求項（抜粋）：

外部磁界検出エレメントを電極間に配設し、外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで検出する磁界センサにおいて、上記電極に永久磁石を用い、この磁石の静磁界を上記バイアス磁界として作用させることを特徴とするリニア磁界センサ。

IPC (4件)：

G01R 33/02 ,  H01F 1/153 ,  H01F 7/02 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

G01R 33/02 D ,  H01F 7/02 Z ,  H01F 10/16 ,  H01F 1/14 C