特許

J-GLOBAL ID：200903079846878484

超伝導材料

発明者： 足立 秀明 ,  平本 雅祥 ,  松川 望
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092490
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284519
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】 金属化合物のMgB2超伝導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目的とする。【解決手段】 組成式 (A1-XMX)(B1-Y TY)2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素、Bは硼素、TはC、Nから選ばれた少なくとも1種の元素)で表された超伝導材料である。また、主成分が組成式AB2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種の元素,Bは硼素)で表され、前記A元素が主体の層と、Bが主体の層とが、交互に積層された構造において、A元素が主体の層が少なくとも2種類の化学組成の層で構成された超伝導材料である。

請求項（抜粋）：

組成式 (A1-XMX)(B1-Y TY)2 (ここでAは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素、Bは硼素、TはC、Nから選ばれた少なくとも1種の元素)で表された超伝導材料。

IPC (6件)：

C01B 35/04 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/10 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C01B 35/04 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/10 ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/12 ZAA A ,  H01L 39/24 ZAA B

Fターム (34件)：

4G047CA07 ,  4G047CB09 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G047JA03 ,  4G047JA04 ,  4G047JB02 ,  4G047JC16 ,  4G047KE04 ,  4G047LB01 ,  4G077AA03 ,  4G077BE06 ,  4G077BE07 ,  4G077BE11 ,  4G077BE18 ,  4G077DA14 ,  4G077DA16 ,  4G077EF04 ,  4G077HA08 ,  4M113AD45 ,  4M113BA04 ,  4M113BA08 ,  4M113BA09 ,  4M113BA14 ,  4M113BA15 ,  4M113BA23 ,  4M113CA12 ,  4M113CA43 ,  4M114AA29 ,  4M114BB01 ,  4M114BB05 ,  4M114CC03 ,  4M114CC07