特許
J-GLOBAL ID：200903079850596280
結晶性薄膜製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257940
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112504
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 配向性に優れた結晶構造を有する薄膜を短時間で形成する方法を提供する。【構成】 基板5上面に配向性に優れたチタン結晶体7を形成した後に成長速度の早い成膜条件でチタン結晶性薄膜9を成長させているから、チタン結晶体7の優れた配向性を受継いだチタン結晶性薄膜3を短時間で形成することができる。チタン結晶性薄膜3上面に白金薄膜11及びPZT薄膜をこの順で形成する。この際、PZT薄膜は、チタン結晶性薄膜3により基板から剥離することなく白金の優れた配向性を受継いだ優れた結晶構造を有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造における結晶性薄膜の製造方法であって、配向性に優れた結晶構造を有する第一膜を成膜した後、成長速度の早い成膜条件で第二膜を形成することを特徴とする結晶性薄膜製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/205
, H01L 21/285 301
