特許

J-GLOBAL ID：200903079854625927

酸化物超電導材料の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-094824
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142777
出願日： 1987年07月10日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 良質で配向した超電導材料を得る。【構成】 超電導材料を作製する際に、材料の一部を溶融させ、溶融していない部分を実質的な核として結晶成長を行わせる。

請求項（抜粋）：

超電導セラミック材料を形成する工程において、一部瞬間的に溶融し、前記溶融部分以外の溶融していない領域を実質的な核として前記溶融領域を、単結晶またはそれに近い結晶成長を行わしめることを特徴とする酸化物超電導材料の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 1/08 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01F 6/06 ZAA ,  H01L 39/06 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

FI (2件)：

C04B 35/00 ZAA Z ,  H01F 5/08 ZAA N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-273371
  
• 特公昭46-007975
  
• 特開昭63-265475