特許

J-GLOBAL ID：200903079857914059

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者： 坂口 昌也 ,  辻 弘恭 ,  三谷 覚 ,  深澤 利雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092568
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285418
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅を正確に規定し、ノイズを減らしてS/N比を向上させた薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 選択的に形成されている磁気抵抗効果層4と、その両側面に高抵抗層6aを介在させて形成した磁気バイアス層5と、所定の間隔を隔てて形成されている一対のリード7とを有する構成により、磁気抵抗効果層4の側面から流れる電流を減少させることができ、S/N比を格段に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層の側面に形成されている高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層および前記高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を隔てて形成されている一対のリードと、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを覆って形成されている第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。

Fターム (6件)：

5D034BA03 ,  5D034BA06 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07