特許

J-GLOBAL ID：200903079860415306

マスクの洗浄方法

発明者： 羽根 博樹 ,  大森 真二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040038
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】マスクの汚染を簡便で確実に検出し、それに応じてマスクを洗浄する方法を提供する。【解決手段】本方法では、ステップS1 で、異物欠陥転写性の実験、又はシミュレーションにより臨界サイズを決定する。ステップS2 で、露光領域外の小区画領域をマスク面上に設定し、次いで小区画領域をm個のモニター用微小領域に分割する。ステップS3 で、マスクを所定時間tの間露光装置のカラム内に滞在させ、次いでm個のモニター用微小領域内の異物の有無を観察し、臨界サイズ以上の異物が存在するモニター用微小領域の個数xを求める。ステップS4 で、異物が存在するモニター用微小領域の個数xよりマスクの欠陥発生確率pを求める。ステップS5 で、製品歩留りを所定値以下にする確率pの閾値pc に対するTc を求め、Tc =Tとして洗浄周期Tを設定する。ステップS6 で、洗浄周期Tでマスクを洗浄する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

リソグラフィ工程で用いるマスクを洗浄してマスクに付着した異物を除去する際に、 前記マスクの露光領域以外の領域に小区域の監視領域を設定する第1のステップと、 リソグラフィ工程で使用する描画装置のカラム内に前記マスクを所定時間保持して前記監視領域への異物の付着の有無を観察し、異物の付着確率を実験的に求める第2のステップと、 実験的に求めた異物の前記付着確率に基づいて、前記マスクに付着した異物に起因してリソグラフィ工程で転写パターンに欠陥が発生する欠陥発生確率を求め、前記欠陥発生確率に基づいてマスクの洗浄周期を決定する第3のステップと を有し、第3のステップで決定した前記洗浄周期に従ってマスクを洗浄することを特徴とするマスクの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08

FI (2件)：

H01L21/30 541S ,  G03F1/08 X

Fターム (5件)：

2H095BB19 ,  2H095BB30 ,  5F056AA25 ,  5F056FA05 ,  5F056FA10