特許

J-GLOBAL ID：200903079866259071

半導体電力素子

発明者： 長浜 英雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149804
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241366
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】高耐圧を確保しつつオン抵抗の大幅な低減を図れる半導体電力素子を提供する。【解決手段】p+形ソース領域4とn+形ドレイン領域1との間にn-形ドリフト領域2が形成されたSiC基板1Aを備える。また、ソース電極に対して高電位側となるような電圧が印加されるゲート電極12およびp+形ソース領域4に対応する部位に設けられ上記電圧が印加されたときにp+形ソース領域4から供給された電子を放出させる多数のカーボンナノチューブ13aからなる電子放出部13を有する電子源10と、電子放出部13の周囲が真空領域15となるようにSiC基板1Aへ固着されるガラス製のキャップ20と、n-形ドリフト領域2にn+形ドリフトコンタクト領域9を介して電気的に接続され電子放出部13から真空領域15へ放出された電子を収集するコレクタ電極22とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

厚み方向の一表面側にp形のソース領域が形成されるとともに他表面側にn形のドレイン領域が形成されソース領域とドレイン領域との間にn形のドリフト領域が形成されたSiよりバンドギャップエネルギの大きい半導体材料からなる半導体基板と、ソース領域に接続されたソース電極と、ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、ソース電極に対して高電位側となるような電圧が印加されるゲート電極および前記半導体基板の前記一表面側においてソース領域に対応する部位に設けられ前記電圧が印加されたときにソース領域から供給された電子を放出させる電子放出部を有する電子源と、電子放出部の周囲が真空領域となるように前記半導体基板の前記一表面側へ固着されるキャップと、ドリフト領域に電気的に接続され電子放出部から真空領域へ放出された電子を収集するコレクタ電極とを備えてなることを特徴とする半導体電力素子。

IPC (4件)：

H01J21/10 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312

FI (4件)：

H01J21/10 ,  H01J1/30 S ,  H01J1/30 F ,  H01J1/30 M

Fターム (16件)：

5C135AA02 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135CC01 ,  5C135CC08 ,  5C135DD11 ,  5C135FF08 ,  5C135FF16 ,  5C135FF25 ,  5C135GG10 ,  5C135GG16 ,  5C135HH06 ,  5C135HH12 ,  5C135HH15 ,  5C135HH17 ,  5C135HH20