特許
J-GLOBAL ID：200903079873726335

窒化物半導体基板とその製造方法

発明者：
上松 康二

上松 康二 について

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佐藤 史隆

佐藤 史隆 について

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弘田 龍

弘田 龍 について

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中畑 成二

中畑 成二 について

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中幡 英章

中幡 英章 について

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元木 健作

元木 健作 について

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中西 文毅

中西 文毅 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-146191
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254258
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。 【解決手段】下地基板の上に被覆部Υが閉曲線をなすマスクを付け窒化物半導体を気相成長させ、露呈部Πにファセット面で取り囲まれる凸型のファセット丘を形成し、露呈部Πの輪郭線をなす被覆部Υは窪みとし、露呈部Πのファセット丘と被覆部Υの窪みを維持しながら結晶成長させ転位をファセット面の作用で外側へ追い出して輪郭線である被覆部Υへ集結させ被覆部Υの上に欠陥集合領域Hを生成し露呈部Πの上ファセットの下には低欠陥単結晶領域Zを形成する。デバイスを製作したのち加熱したKOH、NaOHで欠陥集合領域Hを溶かし多角形のチップに分離できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面と裏面を有し、幅T ́の網目状に繰り返し連続して設けられ横方向に閉曲線である境界K、Kで仕切られ表面から裏面に貫通する欠陥の集合した欠陥集合領域Hと、閉曲線をなす欠陥集合領域Hの境界Kによって包囲され低欠陥で単結晶であり表面から裏面に至る低欠陥単結晶領域Zとを含むことを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5件)：
C30B 29/40 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/183
FI (6件)：
C30B29/40 502J ,  C30B29/38 D ,  C30B29/40 502F ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/183
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077SC10 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F173AC10 ,  5F173AH49
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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