特許
J-GLOBAL ID：200903079875212762
絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163896
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 アルミニウムゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電解効果トランジスタにおいて、チャネルへの可動イオンの侵入を防止することと、層間の配線の接続を容易にする方法を提供することを目的とする。【構成】 ゲイト電極の表面が陽極酸化されたアルミニウムゲイトを有する薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、ゲイト電極とゲイト絶縁膜の間に窒化珪素膜が挟まれた構造を有せしめることによって、チャネルへの可動イオンの侵入を防止し、さらに、陽極酸化の際に、特定の部分をクロム等の金属材料で覆って陽極酸化したのち、クロムのみを、その陽極酸化物とともに除去することによって、下地の金属アルミニウムの露出した部分を形成し、その部分に上部の配線を接続させる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層およびアルミニウムからなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、絶縁膜層は、酸化珪素層と窒化珪素層とからなることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
