特許

J-GLOBAL ID：200903079878912676

半導体材料の評価方法およびその装置

発明者： 山口 博 ,  松永 秀樹 ,  竹野 史郎 ,  土井 清三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240247
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082771
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体材料の欠陥とその位置を検出する手段として、欠陥箇所からの発光現象を利用してこれを検出する検査方法があるが、従来の検出方法は発光をマイクロスコープで捕捉しているために1μm以下の微小部分の観測は不可能であり、集積度の向上,微細化の進行が著しいLSIなど高密度素子の検査・評価は困難であった。【解決手段】 近視野光の検出が可能な微小なプローブを用いて、半導体試料に通電し動作させたとき欠陥部などから発光する光のうちの近視野光を検出する。近視野光は、距離とともに指数関数的に減衰するために物質表面近傍(表面から400〜500nm)にのみ存在する光波であって、これを検知することにより欠陥等の存在箇所が正確に求められる。検出はプローブ7と試料1の相対位置の精密な観測・制御と、試料の表面をプローブで逐次走査して近視野光の強度Sと背景光の強度BとのS/B比(シグナル/バックグラウンド比)をプロットすることにより行なわれる。

請求項（抜粋）：

半導体材料に通電する工程と、通電された前記の半導体材料から発生する近視野光を検出する工程とを有することを特徴とする半導体材料の評価方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/66 ,  G01N 21/88 ,  G01N 37/00 ,  G01R 31/302

FI (5件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/66 ,  G01N 21/88 E ,  G01N 37/00 D ,  G01R 31/28 L