特許

J-GLOBAL ID：200903079879619875

光半導体装置

発明者： 谷川 聡 ,  青木 豊
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318804
公開番号（公開出願番号）：特開平6-157817
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 優れた離型性および透明性を備えた光半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)成分および(B)成分の少なくとも(A)成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表される脂肪族エステル化合物。CH3 (CH2 )mCOO(CH2 )nOOC(CH2 )pCH3 ...(1)〔上記式(1)において、m,n,pは1〜25の整数である。〕(B)上記一般式(1)で表される脂肪族エステル化合物が金属の水酸化物によりケン化されてなる化合物。

請求項（抜粋）：

下記の(A)成分および(B)成分の少なくとも(A)成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表される脂肪族エステル化合物。CH3 (CH2 )mCOO(CH2 )nOOC(CH2 )pCH3 ...(1)〔上記式(1)において、m,n,pは1〜25の整数である。〕(B)上記一般式(1)で表される脂肪族エステル化合物が金属の水酸化物によりケン化されてなる化合物。

IPC (6件)：

C08K 5/10 KAS ,  C08L101/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 23/30 F ,  H01L 31/02 B