特許

J-GLOBAL ID：200903079891221089

III族窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 三島 友義 ,  工藤 真 ,  大内 潔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-031499
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】欠陥の少ない高品質なIII族窒化物エピタキシャル層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】III族元素、例えばガリウムを溶融し、このガリウムメルト2の表面を窒化して窒化物薄膜を形成し、この上に、III族窒化物をエピタキシャル成長させて基板を形成し、この基板上に、Ga1-x-yInxAlyN(ただし、x、yは、それぞれ0≦x≦1、0≦y≦1の範囲の値である)からなるエピタキシャル層5を形成し、このエピタキシャル層5に半導体素子を設ける。

請求項（抜粋）：

III族元素を溶融させ、その表面を窒化して窒化物薄膜を形成する工程と、該窒化物薄膜上に、III族窒化物をエピタキシャル成長させ、基板を形成する工程と、該基板上に、Ga1-x-yInxAlyN(ただし、x、yは、それぞれ0≦x≦1、0≦y≦1の範囲の値である)からなるエピタキシャル層を形成する工程を有することを特徴とする結晶製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/343

FI (6件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 B

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077AA10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  5F040ED03 ,  5F040FC05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102HC01