特許
J-GLOBAL ID：200903079894997649
電極体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200244
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤーボンディング不良がなく、歩留まりが高く、高品質の電極体を良好な作業性で製造できる電極体の製造方法を提供すること。【解決手段】 二層基板33にエッチングを施して所望の配線パターン34を形成し、IC実装部31以外の部分にレジスト3を塗布する。次に、IC実装部31にメッキ処理を行う。続いて、必要に応じて前記IC実装部31に形成されたメッキ層の表面をシアン洗浄等の方法で清浄化した後、例えば、ワイヤーボンディング法によって、駆動素子35とIC実装部31とをワイヤ36を介して接合する。さらに、前記絶縁性基板2の背面の開孔部5の形成予定部周辺に帯電防止摺動コート層4を形成する。その後、エキシマレーザー加工により開孔部5を形成する孔加工を行う。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の一方の面上に形成された金属薄膜からなる配線パターンと、その配線パターンの少なくとも一部に形成されたメッキ層と、そのメッキ層が形成された配線パターンに対応して実装された駆動素子と、前記絶縁性基板の他方の面上に形成されたコート層と、前記配線パターンに対応して形成された荷電体通過部とからなる電極体を製造するための電極体の製造方法であって、前記絶縁性基板の一方の面上に形成された前記配線パターンの少なくとも一部に前記メッキ層を形成し、そのメッキ層が形成された部分の前記配線パターンに対して前記駆動素子を実装した後、前記コート層を前記絶縁性基板の他方の面上に形成し、その後、前記荷電体通過部を前記配線パターンに対応して形成することを特徴とする電極体の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/32
, G03G 15/05
, H05K 3/24
, H05K 3/28
, B41J 2/385
H05K 3/32 Z
, H05K 3/24 D
, H05K 3/28 B
, G03G 15/00 115
, B41J 3/16 D
