特許
J-GLOBAL ID：200903079895868940
半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223417
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 格子定数や熱膨張係数が異なる基板上に窒化物系III-V族化合物半導体などの半導体の厚膜を成長させても、反りや亀裂が発生しない半導体の成長方法、これを用いた半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 成長マスクを用いてGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、3回対称または6回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク4を用いる。3回対称の対称性を有するパターンは例えば正三角形、6回対称の対称性を有するパターンは例えば正六角形である。このようにして厚膜の窒化物系III-V族化合物半導体層を選択成長させた後、基板をラッピングなどにより除去して窒化物系III-V族化合物半導体層のみを取り出し、これを基板としてGaN系半導体レーザなどの半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
成長マスクを用いて半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、上記成長マスクとして、ほぼ3回対称または6回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスクを用いることを特徴とする半導体の成長方法。
Fターム (19件)：
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC18
, 5F045AD11
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DB02
, 5F045DB04
, 5F045GH09
