特許

J-GLOBAL ID：200903079896092643

ウェハ支持部材

発明者： 井之上 博範 ,  口町 和一 ,  川辺 保典
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235439
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097272
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【構成】ウェハ支持部材を窒化アルミニウム質焼結体により形成するとともに、ウェハ20との接触部位に母材である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵抗層13を備える。【効果】ウェハ20との接触部位が高抵抗層13からなるために、ジョンソン-ラーベック力による静電吸着を防止し、工程終了後にウェハ20を容易に外すことができる。そのために、ウェハ20の処理能力が向上し、不純物の混入も防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程中に半導体ウェハを支持する部材であって、窒化アルミニウム質焼結体により形成するとともに、半導体ウェハとの接触部位に母材である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵抗層を備えてなるウェハ支持部材。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-286247
  
• 静電チャック及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165706   出願人：日立化成工業株式会社