特許
J-GLOBAL ID：200903079896961854
超音波トランスデューサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098741
公開番号（公開出願番号）：特開平6-285063
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：
【要約】【目的】 接着層を一切用いず、裁断工程を必要とせず製造し、性能を向上させて、大幅なコスト低減を実現する。【構成】 絶縁基板23上に下部電極16を噴射堆積により形成する。同様にして、下部電極16上に圧電体薄膜17,上部電極18および音響整合層35を順次形成する。絶縁基板23下に噴射堆積によりダンピング層22を形成する。
請求項（抜粋）：
圧電素子層,音響整合層およびダンピング層を基本構成要素とする超音波トランスデューサにおいて、前記基本構成要素の内の少なくとも1つの層が超微粒子を噴射堆積することにより形成したことを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (4件)：
A61B 8/00
, G01N 29/24 502
, H01L 41/24
, H04R 17/00 330
