特許

J-GLOBAL ID：200903079899190417

半導体圧力センサ

発明者： 佐藤 真也 ,  鈴木 清光 ,  山口 真市 ,  笹田 義幸 ,  三木 政之 ,  久保田 正則 ,  宮崎 敦史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227751
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064137
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】耐圧性に優れ、低圧域から高圧域まで高精度に測定できる圧力センサを供給すること。【解決手段】シリコン板上に外枠部と、ダイアフラム部,歪みゲージ部,電極部等からなる圧力検出部を、高圧用と低圧用の複数個形成する。歪みゲージ部が形成されたシリコン板側と、電極取り出し部をもつ絶縁基板を、歪みゲージ部が密閉され、且つシリコン板の電極部と絶縁基板の電極取り出し部が電気的に接続するように接合し、感圧素子を形成する。感圧素子,低融点ガラス,ステムを、リードピンが絶縁基板の電極取り出し部を介してシリコン板の電極部に半田で電気的に接合するように積層し、低融点ガラスを溶融することによって感圧素子とステムを接合する。

請求項（抜粋）：

ダイアフラム部,歪みゲージ部,電極部を形成したシリコン板と、スルーホールを有する絶縁基板と、を前記歪みゲージ部を密封するように気密に接合してなる感圧素子と、リードピンを気密封止によって貫通形成したステムとを備え、前記リードピンが前記絶縁基板のスルーホール内に設けた導電材料によって前記シリコン基板の電極部と電気的に接続され、前記絶縁基板と前記ステムを気密に接合したことを特徴とする半導体式圧力センサ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-307769
  
• 特開平4-307769
  
• 半導体圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-161870   出願人：横河電機株式会社
• 半導体型燃焼圧センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338508   出願人：株式会社日立製作所