特許

J-GLOBAL ID：200903079904088286

半導体装置およびその製造方法

発明者： 金井 孝一
出願人/特許権者： カシオマイクロニクス株式会社
代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030579
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234430
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 柱状電極上に半田ボールが形成された半導体装置において、柱状電極と半田ボールとの界面にクラックが発生しにくいようにする。【解決手段】 柱状電極17の周囲における封止膜18の上面には凹部19が形成されている。凹部19内および柱状電極17の上面を含むその上側には半田ボール20が形成され、柱状電極17の上端部は半田ボール20で覆われている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極を除く領域に形成された封止膜とを具備する半導体装置において、前記封止膜の上面に前記柱状電極の上面および上端部の外周面を露出する凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 H

Fターム (5件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13