特許

J-GLOBAL ID：200903079905125770

電界効果型有機トランジスタ

発明者： 中村 真一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170277
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353694
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 閾値電圧の変動が小さく、オンオフ比の大きい電界効果型有機トランジスタを提供する。【解決手段】 絶縁性基板11上にゲート電極12を配置し、その上にゲート絶縁層13を位置し、その上にソース電極14およびドレイン電極15を配置し、更にその上に有機半導体層16、最上部に保護膜17を位置して構成される電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が下記の構造式(1)で表される光学活性モノマーと非光学活性モノマーの共重合体からなる。【化1】【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層及び有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が光学活性モノマーと非光学活性モノマーの共重合体からなることを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/28

Fターム (43件)：

5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド