特許
J-GLOBAL ID：200903079905627016
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349927
公開番号（公開出願番号）：特開2000-171318
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 ダイアフラムの温度特性を改善すると共にダイアフラムエッジ部の強度を高める。【解決手段】 SiO2 層2をエッチングストッパ層としてn型単結晶Si層1の感圧領域に相当する部分をSiO2 層2までエッチングする。このエッチングによって露出したSiO2 層2を除去する。n型単結晶Si層3の感圧領域を所定の量だけエッチングしてダイアフラム4を形成する。これにより、ダイアフラム4及びダイアフラムエッジ部6からSiO2 層2を除去する。
請求項（抜粋）：
基台となる第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された、感圧領域がダイアフラムとなる第2の半導体層とを備え、第1の半導体層と絶縁層は、感圧領域に相当する部分が除去され、ダイアフラムは、前記感圧領域の絶縁層側の面に所定の深さの凹部を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA03
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA08
, 4M112DA10
, 4M112DA12
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112FA05
