特許
J-GLOBAL ID:200903079921782439

半導体パッケージおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 田澤 博昭 ,  加藤 公延 ,  田澤 英昭 ,  濱田 初音
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-201595
公開番号(公開出願番号):特開2004-047637
出願日: 2002年07月10日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】半導体パッケージにおいて、樹脂と絶縁膜の間や樹脂と半田レジストの間に隙間が発生し、そのうえに半田バンプが溶融した場合でも、溶融した半田が隣接の半田バンプに流れ着くことを防止する。【解決手段】一つの半田バンプ14から溶融した半田が絶縁膜13と樹脂19の間の隙間を通って隣接の半田バンプ14に流れ着くことを防止する環状溝21を、絶縁膜13に半田バンプ14の軸線を囲むように設ける。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数のパッド電極と絶縁膜が設けられている半導体素子と、複数の基板電極と半田レジストが設けられているパッケージ基板とが対向され、前記パッド電極と前記基板電極が半田バンプによって接続され、前記絶縁膜と前記半田レジストの間に樹脂が充填されている半導体パッケージにおいて、一つの半田バンプから溶融した半田が前記樹脂に面する隙間を通って隣接の半田バンプに流れ着くことを防止する半田ダムが、前記絶縁膜と前記半田レジストのうちの少なくとも一方に前記半田バンプの軸線を囲むように設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件):
H01L23/12 ,  H01L21/60
FI (2件):
H01L23/12 L ,  H01L21/60 311Q
Fターム (3件):
5F044LL01 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ08

前のページに戻る