半導体レーザ装置システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147218
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343809
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】レーザビームを長期且つ安定に出射する装置を提供する。【構成】レーザチップ内に独立駆動構造の複数のレーザ共振器が近接形成された半導体レーザ1を用い、各レーザ共振器の一つを現用、残部を予備とする。そして、現用の出力レベル低下を劣化検出手段2で検出したときは、駆動切換手段3にて現用から予備に自動的に切り換える。このとき、図示を省略した位置調整機構にて半導体レーザの位置を微調整する。

請求項（抜粋）：

レーザチップ内に独立駆動構造の複数のレーザ共振器が近接形成された半導体レーザと、該半導体レーザの特定のレーザ共振器の劣化を検出する劣化検出手段と、各レーザ共振器の切換駆動を行う駆動切換手段とを有し、これらレーザ共振器の少なくとも一つは、駆動中のレーザ共振器の劣化検出時に前記駆動切換手段で切換駆動される予備レーザ共振器であることを特徴とする半導体レーザ装置システム。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/25

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-089990
特開昭60-084892
特開平2-097081

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