特許
J-GLOBAL ID：200903079933990916
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229532
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066409
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 Si系材料での電極構造の形成の際も、HF処理時等のHFの突き抜けによる下地のアタックの防止、耐圧性劣化の防止、Si系材料の外部からの汚染の通過を防止し、性能劣化や、工程上におけるゲート絶縁膜をエッチングで加工するとき等の汚染通過による下地への影響を防止した半導体装置、及びこれを簡明な構成で実現する半導体装置の製造方法の提供する。【構成】 ?@Si系導電材料から成る電極構造1を備え、電極構造1は少なくとも1層のNドープSi等の窒素含有Si系導電材料層2を有する。?ASi系導電材料から成る電極構造を備える半導体装置の製造方法において、少なくとも1回のSi系材料成膜用の堆積工程と、少なくとも1回の窒素含有Si系材料層成膜用の堆積工程とを、任意の順で行うことにより、少なくとも1層の窒素含有Si系導電材料層を有する電極構造を形成した半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン系導電材料から成る電極構造を備える半導体装置において、前記電極構造は少なくとも1層の窒素含有シリコン系導電材料層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
