特許
J-GLOBAL ID：200903079941268910
半導体ウエーハの薬液処理方法及びその薬液処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094798
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302744
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 薬液による半導体ウエーハに付着するレジスト剥離ならびに有機物処理用の効率を上げると共に、薬液を浄化して有機不純物による逆汚染を防止する点。【構成】 水に対する溶解度が小さいヘリウムガスにより過酸化水素を含む混合薬液10をパージすることにより揮発性有機物を効率良く揮発できるとの事実を基に完成した。この方式の採用により従来の窒素ガスに比べて半導体ウエーハWの処理の歩留が約5%向上した。
請求項（抜粋）：
半導体ウエ-ハを被覆する有機物を除去する混合薬液をパージする工程を備えることを特徴とする半導体ウエーハの薬液処理方法
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
