特許
J-GLOBAL ID：200903079955944608
電磁放射線を制御するために結晶を構成設定し調整する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 行一
, 鈴木 康仁
, 二宮 克之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-579764
公開番号（公開出願番号）：特表2004-533635
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
基板102内の複数のノード106に供給される流体400を選択的に制御することにより結晶102,106を構成設定し調整する方法及び装置100。この装置は、1つ以上のノードを有する基板を備え、ノードには、その材料特性を変化させる流体を選択的に供給できる。ノードは、三次元構造の球状の空洞702、二次元構造の円筒状の孔106又は一次元構造の空洞1106でよい。基板内の1つ以上のノードは、その材料特性を選択的に変える流体配分アセンブリ104に結合される。材料特性は、電気流体力学式や電気浸透式のポンピング、電気泳動、熱毛管現象、電気ウェッティング、又は電気毛管現象を使用して、流体又は流体内の材料を動かすことによって変えられる。ノードの少なくとも1つにおいて材料特性が変化することにより、電磁放射に対する結晶のフィルタリング特性又はスイッチング特性が変化する。
請求項（抜粋）：
電磁放射線を制御する装置(100,1000,1100,1300)であって、
少なくとも1つのノード(106,1011,1106,1304,1306,1308)を有する基板(102,1002,1102,1302)であって、前記少なくとも1つのノードが材料特性を有する、前記基板と、
前記少なくとも1つのノードに結合されている制御アセンブリ(104,1108,1024,1310,1312,1314)であって、流体(400,1004,1110,1316,1318,1320)を前記少なくとも1つのノードに注入して前記少なくとも1つのノードの前記材料特性を選択的に変化させる、前記制御アセンブリと、
を備える装置。
IPC (3件)：
G02B26/00
, G02B26/02
, G02B26/08
G02B26/00
, G02B26/02 H
, G02B26/08 H
2H041AA03
, 2H041AA14
, 2H041AA21
, 2H041AA22
, 2H041AB32
, 2H041AZ00
