特許
J-GLOBAL ID：200903079960580495
シリコン単結晶育成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304791
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142989
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：
【要約】【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げでは、結晶の成長の進行に伴って引き上げワイヤの荷重が大きくなり、引き上げ速度が変動され、シリコン単結晶に成長縞が発生する。【解決手段】 成長されるシリコン単結晶棒17の一部に磁性体リング12を一体支持させるとともに、シリコン単結晶棒17の引き上げ経路に沿う育成炉1に複数個の電磁石8を配置する。電磁石8への通電を制御して磁性体リング12に引き上げ方向の磁力を発生させることで、シリコン単結晶棒17の育成が進行されることに伴うワイヤ7の荷重の増大を防止し、引き上げ速度を一定化し、シリコン単結晶棒17における成長縞の発生を防止する。
請求項（抜粋）：
下部に溶融シリコンを入れたるつぼが配置され、上部に前記溶融シリコンからシリコン単結晶を成長させる種結晶をワイヤにより引き上げる引き上げ機構を備えるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶育成装置において、成長されるシリコン単結晶の一部に一体的に取着される磁性体リングと、前記シリコン単結晶の引き上げ経路の周囲に配置して前記磁性体リングに引き上げ方向の磁力を発生させる電磁石とを備えることを特徴とするシリコン単結晶育成装置。
IPC (4件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, C30B 15/24
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 F
, C30B 29/06 502 G
, C30B 15/24
, H01L 21/208 P
