特許

J-GLOBAL ID：200903079962915184

半導体発光素子

発明者： 岸本 達也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243610
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 島状の発光素子の一側面以外を電極材料で被覆して端面発光型の発光素子を形成する。【構成】 単結晶半導体基板1上に導電型の異なる少なくとも二層の単結晶半導体層から成る島状部Iを設け、この島状部I側面から半導体基板1上にかけて透光性保護層6を設け、この島状部I上面と側面とを、島状部Iの一側面を残して電極7で被覆した半導体発光素子であって、電極7で被覆されない島状部Iの一側面が<1-10>方向となり、且つ他の側面が<010> 方向から<-100>方向の間に入らないように島状部Iを設けた。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の単結晶半導体層から成る島状部を設け、この島状部側面から前記半導体基板上にかけて透光性絶縁膜を被着し、この島状部上面と側面を、島状部の一側面を残して電極で被覆した半導体発光素子において、前記電極で被覆されない島状部の一側面が<1-10>方向となり、且つ他の側面が<010> 方向から<-100>方向の間に入らないように前記島状部を設けたことを特徴とする半導体発光素子。