特許

J-GLOBAL ID：200903079969698650

成膜方法

発明者： 山▲崎▼ 英亮 ,  松沢 興明 ,  河野 有美子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194394
公開番号（公開出願番号）：特開2005-029821
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】金属膜の不純物量を低減する成膜方法を提供する。【解決手段】被処理基板に第1の金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板に、当該第1の金属を含む第1の金属カルボニル化合物を含む第1の処理ガスを供給する第1の工程と、前記被処理基板に前記第1の金属カルボニル化合物と異なる金属化合物を含む第2の処理ガスを供給する第2の工程と、前記第1の金属カルボニル化合物を構成する炭素と酸素が前記金属化合物を形成する第2の金属と結合して第2の金属カルボニル化合物が形成される第3の工程を含むことを特徴とする成膜方法を用いて、不純物量の少ない金属膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

被処理基板に第1の金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、 前記被処理基板に、当該第1の金属を含む第1の金属カルボニル化合物を含む第1の処理ガスを供給する第1の工程と、 前記被処理基板に前記第1の金属カルボニル化合物と異なる金属化合物を含む第2の処理ガスを供給する第2の工程と、 前記第1の金属カルボニル化合物を構成する炭素と酸素が前記金属化合物を形成する第2の金属と結合して第2の金属カルボニル化合物が形成される第3の工程を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

FI (5件)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/285 301 ,  H01L21/90 A

Fターム (43件)：

4K030AA12 ,  4K030AA18 ,  4K030BA06 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK17 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033XX10