特許

J-GLOBAL ID：200903079973050118

赤外線撮像素子とその製造方法

発明者： 田中 昭生 ,  寺西 信一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321412
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218088
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 梁構造とマイクロレンズを有する2次元熱型赤外線撮像素子において、入射赤外線を有効に集め、梁とマイクロレンズとの接触の危険性がなく、高密度に画素を配置できる構造を提供する。【解決手段】 走査回路2を有する半導体基板1の表面に凸部6を設け、レンズ面が熱伝変換素子5と対向し、かつ焦点が赤外線吸収層上に結像するようにマイクロレンズ9を配置する。熱伝変換素子5は梁10上に形成されており表面に赤外線吸収層13を有してもよい。凸部としては化学的気相成長法によって形成されたシリコン酸化膜を用いることが望ましい。この構造により、梁を破壊することなく有効に入射赤外光を熱伝変換素子5に集光することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に2次元にマトリクス状に配列されそれぞれが空中に保たれた凸状にカーブを描く形状よりなる複数の梁と、この梁上に置かれ赤外線を電気信号に変換する熱電変換素子と、半導体基板表面でかつ画素領域外に設けられた凸部と、この熱電変換素子に入射赤外線が集光するように配置され、レンズ面を熱電変換素子に対向させたマイクロレンズを有することを特徴とする赤外線撮像素子。

IPC (3件)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 35/00

FI (5件)：

G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 B ,  H01L 35/00 S ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D