特許

J-GLOBAL ID：200903079983761810

X線露光法

発明者： 小川 太郎 ,  村山 精一 ,  武田 英次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183454
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029192
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 X線によりウェハ上にマスクパターンの転写を行うX線露光法において,マスクパターンの転写寸法精度の劣化を低減することを目的とする。【構成】 本発明はマスクパターン透過光とマスクパターン側壁からの反射光との干渉により生ずるウェハ上でのX線露光強度分布とマスクパターン寸法との変換差に基づき,予めマスクパターン寸法の変更ないしはマスクパターン膜厚の変更,さらにはマスクとウェハの間隙の変更を行うことを特長とする。【効果】 従来法において問題となるマスクパターン転写寸法精度の劣化を低減することが可能となる。

請求項（抜粋）：

所望のパターンが形成されたマスクをウェハに近接させ,X線によりウェハ上にパターンの転写を行うX線露光法において,マスクパターン透過光とマスクパターン側壁からの反射光との干渉により生ずるウェハ上でのX線露光強度分布とマスクパターン寸法との変換差に基づき,予めマスクパターン寸法の変更ないしはマスクパターン膜厚の変更を行うことにより,所望のパターン寸法の転写を行うことを特徴とするX線露光法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521