特許
J-GLOBAL ID：200903079984196602
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269309
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168206
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】垂直電荷転送部112a〜dと、水平電荷転送部113a〜dと、垂直電荷転送部112dと水平電荷転送部113d間とで、それぞれの電荷転送電極間に形成される電位ポテンシャルを均一に低減し、これにより電荷転送効率の優れた固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1の第1導電型半導体領域106と、第2の第1導電型半導体領域107および第3の第1導電型半導体領域108の不純物濃度を、電極間の間隔等を考慮してそれぞれ個別に設定する。
請求項（抜粋）：
光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部より転送された電荷を受けこれを水平方向に転送する水平電荷転送部とを備える固体撮像装置であって、前記垂直電荷転送部に設けられた複数の垂直電荷転送電極と、前記各垂直電荷転送電極間に設けられた第1の不純物領域と、前記水平電荷転送部に設けられた複数の水平電荷転送電極と、前記各水平電荷転送電極間に設けられた第2の不純物領域と、前記垂直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間に設けられた第3の不純物領域とを備え、前記第3の不純物領域の不純物濃度は、少なくとも前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純物濃度とは異なることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
, H04N 5/335
H01L 29/76 301 A
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
