特許

J-GLOBAL ID：200903079986518712

半導体装置

発明者： 土橋 和夫 ,  若尾 幸 ,  二ッ森 浩二 ,  塩原 利夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-154213
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335791
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 樹脂製の基板上に搭載される半導体素子をエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止するに際し、充填剤などを多量に配合して線膨張係数を基板と合わせなくとも基板のそりの発生が可及的に防止する。【構成】 基板上に搭載されたICをエポキシ樹脂組成物の硬化物にて封止してなる半導体装置において、上記エポキシ樹脂組成物として、当該エポキシ樹脂組成物から無機質充填剤を除いたものの1.5mm以上の厚さの硬化物のショアD硬度が上記基板のガラス転移温度より30°C±5°C低い温度において60以下であり、かつ25°Cにおいて25以上であるエポキシ樹脂組成物を使用する。

請求項（抜粋）：

基板上に搭載されたICをエポキシ樹脂組成物の硬化物にて封止してなる半導体装置において、上記エポキシ樹脂組成物として、当該エポキシ樹脂組成物から無機質充填剤を除いたものの1.5mm以上の厚さの硬化物のショアD硬度が上記基板のガラス転移温度より30°C±5°C低い温度において60以下であり、かつ25°Cにおいて25以上であるエポキシ樹脂組成物を使用したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B41J 2/335

FI (2件)：

H01L 23/30 R ,  B41J 3/20 111 F