特許
J-GLOBAL ID：200903079987395550
薄膜半導体装置と薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260312
公開番号（公開出願番号）：特開平11-095259
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 画素領域、駆動回路領域の薄膜トランジスタに要求される固有の特性をそれぞれの領域に有する多結晶シリコン薄膜トランジスタ用アレイ基板を作製し、高品位な画素表示を実現する液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 レーザーアニールを用いて非晶質シリコンを結晶化する際、画素領域10と駆動回路領域20において前記下地層103の厚みを変えるか、又は熱伝導率の異なる材料を用いることにより、互いに異なる冷却速度で前記画素領域及び前記駆動回路領域を冷却し、結晶性の異なる多結晶シリコン領域を作製する。
請求項（抜粋）：
絶縁ガラス基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された画素部多結晶シリコン薄膜トランジスタを含む画素領域と、該下地層上に形成され、該画素領域薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路部多結晶シリコン薄膜トランジスタを含む駆動回路領域とを具備し、前記画素領域の下地層の厚みは、前記駆動回路領域の下地層より厚いことを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, G09F 9/33
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, G09F 9/33 K
, H01L 29/78 612 B
