特許

J-GLOBAL ID：200903079989963954

半導体基板およびその製造方法

発明者： 加藤 清子 ,  北原 邦紀 ,  中井 健弥
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024917
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251339
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体結晶を成長させるための半導体基板およびその製造方法に関し、機械的強度が高く、安価で、結晶性が優れた半導体基板を提供する。【構成】 Si単結晶基板1の上に開口3を設けたSiO2 膜2を形成し、その開口3の底に露出するシード4の上にALE法によってGaAs単結晶層5を選択的に成長し、このGaAs単結晶層5の上にLEP法によってGaAs単結晶6を形成する。また、Si単結晶基板1の上に開口3を設けたSiO2 膜2を形成し、その開口3の底に露出するシード4の上に第1の成長条件によって選択成長GaAs単結晶層7を形成し、第2の成長条件によって全面にGaAsを堆積して、選択成長GaAs単結晶層7の上に非選択成長GaAs単結晶層8を、SiO2 膜2の上には、非選択成長多結晶層9を形成し、その後温度を上げて非選択成長GaAs単結晶層8をシードにして非選択成長多結晶層9全体を単結晶化する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなる基板の上に開口をもつ絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の開口内に露出した第1の半導体からなる基板の上に原子層エピタキシー(ALE)法により第2の半導体からなる単結晶層を選択的に成長する工程と、該第2の半導体からなる単結晶層の上から該絶縁膜の上に延在して液相エピタキシー(LPE)法によって第3の半導体からなる単結晶を成長する工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203