特許
J-GLOBAL ID：200903079994240073
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239682
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089876
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】半導体装置製造に用いるマイクロ波を利用したプラズマ処理装置において、エッチング材料を均一にエッチングできる構造を有するプラズマ処理装置を提供する。【構成】反応室を形成し、マイクロ波を導入する部分となる石英3の上部の形状を平面としたすることを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】石英反応室3の上部の形状を平面としているため、マイクロ波の入射および透過率のムラが改善される。マイクロ波の分布および形成されるプラズマの分布もその偏りがなくなり、高周波バイアスによって電極6に引き込まれる反応種も均一化され、ウエハ面内のエッチングレ-トおよび形状差も改善される。
請求項（抜粋）：
反応室を形成し、マイクロ波を導入する部分となる石英の上部の形状が平面になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
