高純度チタン及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219922
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：

【要約】【課題】積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度チタン及びその製造方法を提供する。【解決手段】溶融塩電解により得た高純度電解析出チタンを、電解または蒸留法によりガス成分を除く不純物元素の含有量をそれぞれ1ppm以下としたCa-CaCl2 浴に浸漬して脱酸処理し、チタンに含まれる酸素含有量を100ppm以下に、かつアルカリ金属、アルカリ土類金属の総含有量を5ppm以下、重金属、軽金属の総含有量を10ppm以下、放射性元素の総含有量を1ppb以下とする。

請求項（抜粋）：

アルカリ金属、アルカリ土類金属の総含有量が5ppm以下、重金属、軽金属の総含有量が10ppm以下、放射性元素の総含有量が1ppb以下であり、かつガス成分である酸素含有量が100ppm以下であることを特徴とする高純度チタン。

IPC (4件)：

C22B 34/12 103 , C22C 14/00 , C25C 3/28 , C22B 9/22

FI (4件)：

C22B 34/12 103 , C22C 14/00 Z , C25C 3/28 , C22B 9/22

Fターム (10件)：

4K001AA27 , 4K001BA23 , 4K001DA14 , 4K001EA02 , 4K001FA13 , 4K001KA08 , 4K058AA12 , 4K058BA10 , 4K058CB16 , 4K058CB23

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-099829

審査官引用 (1件)

特開平4-099829

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