特許

J-GLOBAL ID：200903079996702910

多結晶シリコン薄膜及びその製造方法

発明者： 吉川 俊明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-315826
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性の優れた多結晶シリコン薄膜の提供と、低温で安価で再現性よく優れた多結晶シリコン薄膜の製造方法の提供。【構成】 (110)面の配向を80%以上とした柱状構造とする。又、不純物濃度を100ppb以下で、13.56MHz以上の高周波で、2nm/秒以上の成膜速度でスパッタリング方法により製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された(110)面の配向が80%以上で柱状構造を有する事を特徴とする多結晶シリコン薄膜。

IPC (8件)：

C01B 33/02 ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/40 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 31/04 X