特許
J-GLOBAL ID:200903079999655999
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-210163
公開番号(公開出願番号):特開平10-056040
出願日: 1996年08月08日
公開日(公表日): 1998年02月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置を構成する半導体チップと配線基板との接合を、これらと同程度の熱膨張係数を有する樹脂を用いて短時間で行う。【解決手段】 集積回路の形成された半導体チップ1、およびこの半導体チップ1のチップ電極1aに対応して貫通孔3aが形成されるとともに貫通孔3aの内壁においてその両端まで延びる導電材6が設けられた配線基板3を用意する。次に、チップ電極1aとこれに対応した貫通孔3aとを位置合わせし、チップ電極1aの箇所を残して半導体チップ1と配線基板3とを絶縁性接着樹脂4で接合する。そして、貫通孔3a内にはんだボール2を投入してこれを溶融固化し、チップ電極1aと導電材6とを電気的に接続する。
請求項(抜粋):
集積回路の形成された半導体チップと、前記半導体チップのチップ電極に対応して貫通孔が形成されるとともに前記貫通孔の内壁においてその両端まで延びる導電材が設けられた配線基板と、前記チップ電極に対応した接続孔が形成されるとともに前記チップ電極とこれに対応した前記貫通孔とを対向させて前記半導体チップと前記配線基板とを接合する絶縁性接着樹脂と、前記貫通孔内で溶融固化して設けられ、前記チップ電極と前記導電材とを電気的に接続する導通部材とを有することを特徴とする半導体装置。
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