特許

J-GLOBAL ID：200903079999679235

メモリ装置およびメモリアレイ

発明者： ロス、ダニエル
出願人/特許権者： ジェンテク インヴェストメント グループ アーゲー
代理人 (2件)： 下坂 スミ子 ,  松田 三夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-518535
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523097
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

メモリは、電流をキャリーするための入力領域(3)と、電流をキャリーするための出力領域(4)と、クーロン封鎖レジームで作動するように配列されかつ入力および出力領域(3および4)を分離する三次元的に制限された量子領域とを有し、それにより電荷キャリアが量子領域(4)を通るトンネリングによって入力領域から出力領域にだけ通過できる少なくとも1つのメモリ装置(1)を有する。入力および出力領域(3および4)がスピン成極されるように磁界(Bdc)がメモリ装置のゼーマン分流を制御するのに用いられ、それにより入力および出力領域を通る伝導が一つのスピン極性の電荷によって行われる。一つの配列において、メモリ装置を通るトンネル電流を制御するように量子領域の最上方の電荷キャリアのスピン成極作用を制御するようにパルスの交流磁界(Bac)が用いられる。別の配列において、出力領域に適用される磁界の成極作用は、メモリ装置が電流スイッチとして作用するように、メモリ装置を伝導状態と非伝導状態の間で切り替えるように用いられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電流をキャリーする(carrying)ための入力領域と、電流をキャリーするための出力領域と、クーロン封鎖レジーム(Coulomb blockade regime)で作動するように配列されかつ入力および出力領域を分離する三次元的に制限された(confined)量子領域とを有し、それにより電子が量子領域を通るトンネリング(tunnelling)によって入力領域から出力領域にだけ通過できるメモリ装置と、 入力および出力領域がスピン成極(spin polarised)されるようにメモリ装置におけるゼーマン分流(Zeeman splitting)を制御し、それにより入力および出力領域を通る伝導が1つのスピン極性(spin polarity)の電子によって行われるゼーマン分流手段と、 メモリ装置を通るトンネル電流(tunnelling current)を制御するように量子領域における最上方の電子のスピン成極作用(spin polarisation)を制御するための制御手段と から構成される、メモリ。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  G11C13/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083HA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA51 ,  5F083LA10